Prozessablaufdiagramm des Reinwasseraufbereitungssystems – Wasserreinigung
Abbildung 1 Das häufig verwendete Prozesskonfigurationsdiagramm für das elektronische I-Level-Reinstwassersystem primär RO+ sekundär EDI+MB eignet sich für Quellwasser mit hoher Härte, hohem organischen Gehalt, hoher elektrischer Leitfähigkeit (weniger als 1000 μs/cm) und dem erforderlichen Wasserwiderstand 18～ 18,2 MΩ·cm Reinstwassersystem Abbildung 2 Das häufig verwendete Prozesskonfigurationsdiagramm für das primäre RO + sekundäre EDI-Elektronik-Ⅱ-Reinstwassersystem eignet sich für Quellwasser mit hoher Härte, hohem organischen Gehalt und elektrischer Leitfähigkeit (weniger als 1000 μs/cm). ), Anforderungen Reinstwassersystem mit einem erzeugten Wasserwiderstand von 15–18 MΩ·cmAbb. 5 Häufig verwendete primäre RO + sekundäre EDI-Elektronik + MB-Elektronik Prozesskonfigurationsdiagramm für Reinstwassersysteme auf I-Ebene. Es eignet sich für Quellwasser mit geringer Härte, geringem organischen Gehalt und hoher elektrischer Leitfähigkeit (weniger als 1000 μs/cm) für Reinstwassersysteme mit ein Wasserwiderstand von 18–18,2 MΩ·cmAbb. 6 Prozesskonfigurationsdiagramm eines häufig verwendeten RO- und EDI-Elektroniksystems der zweiten Ebene der ersten Ebene. Reinstwassersystem der zweiten Ebene ist für niedrige Quellwasserhärte, geringen organischen Gehalt, hohe elektrische Leitfähigkeit (weniger als 1000 μs/cm) und Reinstwasser geeignet System, das einen Wasserwiderstand von 15-18 MΩ·cm erfordert Abbildung 7. Das Zusammensetzungsdiagramm des häufig verwendeten sekundären RO+-Primär-EDI+MB-elektronischen Primär-Reinstwassersystems mit stabiler Wasserqualität eignet sich für Quellwasser mit geringer Härte, hohem organischen Gehalt und elektrischer Leitfähigkeit